收藏本站

2SK3018
Transistor
2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3018
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
External dimensions (Unit : mm)
UMT3
2.0
0.9
Applications
(3)
0.3
0.2
0.7
Interfacing, switching (30V, 100mA)
(2)
0.65 0.65
1.3
(1)
0.15
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Packaging specifications
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : KN
Equivalent circuit
Package
Taping
Drain
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
T106
3000
2SK3018
Gate
? Gate
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Protection
Parameter
Drain-source voltage
Symbol
V DSS
Limits
30
Unit
V
Diode
Source
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
V GSS
I D
I DP ? 1
± 20
± 100
± 400
V
mA
mA
? A protection diode is included between the gate
and the source terminals to protect the diode
against static electricity when the product is in use.
Use a protection circuit when the fixed voltages
are exceeded.
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
200
150
? 55 to + 150
mW
° C
° C
? 2 With each pin mounted on the recommended lands.
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
625
Unit
° C / W
? With each pin mounted on the recommended lands.
Rev.B
1/3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
2SK3019TL MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
2SK3479-Z-E2-AZ MOSFET 100V N-CH TO-263
2SK3480-AZ MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
2SK3481-AZ MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
2SK3482-AZ MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
2SK3483-AZ MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
2SK3484-AZ MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
2SK3511-AZ MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220
相关代理商/技术参数
2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1
2SK3018UB 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET
2SK3018W 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:N-Channel POWER MOSFET
2SK3018WT1 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS
2SK3019 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (30V, 0.1A)
2SK3019_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3019_2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3019EB 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET